世界初、シリコンCMOSトランジスタの限界を打破する革新的技術を開発

―新たなモバイルコンピューティング市場創出に期待―

独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構
国立大学法人九州大学

NEDOの若手研究グラント（※1）の一環として、九州大学の浜屋宏平准教授は、シリコンCMOS（※2）トランジスタの高性能化限界を打破する革新的なメタルソース／ドレイン技術（※3）を開発しました。次世代の高速半導体チャネル材料として期待されているゲルマニウム（Ge）（※4）と金属の接合界面を原子層レベルで高度に制御できる本技術は、これまで不可能と考えられてきたメタルソース/ドレインのn-Geチャネルトランジスタの作製を可能とし、寄生抵抗（※5）を大幅に低減したGe-CMOSを実現することができます。ＮＥＤＯプレスリリース　2011年11月9日